Feb 1, 2013 · Important physical models for 4H silicon carbide (4H-SiC) are constructed based on the literature and experiments on the physical properties of 4H-SiC.
Читать далее
Кремний в воде и почве. Методы анализов и предельно допустимая концентрация кремния. Польза и вред в потреблении. Испытательный центр «МГУЛАБ» им. М.В. Ломоносова.
Читать далее
Шифр: А Авт. знак: 91576 Автор: Мохов Евгений Николаевич Назва: Диффузия примесей в карбиде ...
Читать далее
Apr 1, 2007 · Электронная структура и спиновые свойства дефектов в широкозонных полупроводниках: нитриде алюминия и карбиде кремния скачать бесплатно автореферат. Заказать доставку диссертации по физике, 01.04.07 специальность ...
Читать далее
Sep 21, 2024 · Изменение размеров элементарной ячейки политипов приводит к изменению ширины запрещенной зоны в карбиде кремния от 2,39 для 3С -SiC до 3,33 для 2Н-SiС.
Читать далее
May 29, 2019 · В статье представлены результаты моделирования подвижности электронов в карбиде кремния (SiC) политипа 6H.
Читать далее
Карбид кремния, или карборунд, является одним из самых твердых материалов, известных человечеству. Он обладает высокой термической и химической стойкостью, а также обладает свойствами полупроводника.
Читать далее
The radiation hardness of silicon carbide with respect to electron and proton irradiation and its dependence on the irradiation temperature are analyzed.
Читать далее
Kh. JURAEV, Senior Researcher | Cited by 75 | | Read 36 publications | Contact Kh. JURAEV
Читать далее
Иран-это очень важный рынок Ближнего Востока. Каждый год…
больш
